NVLJD4007NZTBG

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

原厂封装：6-WDFN

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ON安森美半导体完整型号：NVLJD4007NZTBG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：245mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 欧姆 @ 125mA， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.75nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：20pF @ 5V

功率 - 最大值：755mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

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NVLJD4007NZTBG供应商-耐智电子

单路晶体管(BJT)

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