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ON安森美半导体完整型号：TF252TH-4A-TL-H制造厂家名称：ON Semiconductor描述：JFET N-CH 1MA 100MW系列：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-漏源极电压 (Vdss)：-不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：140μA @ 2V漏极电流 (Id) - 最大值：1mA不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：100mV @ 1μA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3.1pF @ 2V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装/外壳：3-SMD，扁平引线供应商器件封装：VTFP功率 - 最大值：100mW耐智电子是国内领先的TF252TH-4A-TL-H供应商 
