TF412ST5G

ON | JFET结点场效应

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3

原厂封装：3-XFDFN

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ON安森美半导体完整型号: TF412ST5G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3

系列: -

FET 类型: N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）: 30V

漏源极电压（Vdss）: 30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 1.2mA @ 10V

漏极电流（Id） - 最大值: 10mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 180mV @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4pF @ 10V

电阻 - RDS（开）: -

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 3-XFDFN

供应商器件封装: SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

功率 - 最大值: 100mW

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TF412ST5G供应商-耐智电子

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