WPB4002-1E

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

原厂封装：TO-3P-3L

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ON安森美半导体完整型号：WPB4002-1E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：23A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 11.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：84nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 30V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3P-3L

耐智电子是国内领先的WPB4002-1E供应商

WPB4002-1E供应商-耐智电子

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