BSM180D12P2C101

ROHM | FET - 模块

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

原厂封装：模块

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ROHM罗姆半导体完整型号: BSM180D12P2C101

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

系列: -

FET 类型: 2 个 N 通道（半桥）

FET 功能: 碳化硅（SiC）

漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 35.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 23000pF @ 10V

功率 - 最大值: 1130W

安装类型: *

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

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BSM180D12P2C101供应商-耐智电子

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