HP8KA1TB

ROHM | FET - 阵列

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

原厂封装：8-PowerTDFN

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ROHM罗姆半导体完整型号: HP8KA1TB

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 14A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 5 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 24nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2550pF @ 15V

功率 - 最大值: 3W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

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