QS8M51TR

ROHM | FET - 阵列

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

原厂封装：8-SMD，扁平引线

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ROHM罗姆半导体完整型号: QS8M51TR

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A，1.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 325 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 4.7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 290pF @ 25V

功率 - 最大值: 1.5W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装: TSMT8

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