R5207ANDTL

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT

原厂封装：TO-252-3，DPak

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ROHM罗姆半导体完整型号: R5207ANDTL

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 525V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1 欧姆 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 500pF @ 25V

功率 - 最大值: 40W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: CPT3

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芯片电阻

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