RE1J002YNTCL

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

原厂封装：3-SMD，扁平引线

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ROHM罗姆半导体完整型号: RE1J002YNTCL

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，0.9V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 800mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 26pF @ 10V

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 3-SMD，扁平引线

供应商器件封装: EMT3F

耐智电子是国内领先的RE1J002YNTCL供应商

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