RF4E080BNTR

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

原厂封装：8-SMD，扁平引线

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ROHM罗姆半导体完整型号: RF4E080BNTR

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 17.6 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 14.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 660pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装: 8-HUML（2x2）

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RF4E080BNTR供应商-耐智电子

ROHM

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晶体管（BJT） - 单路

芯片电阻

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