RGT30NS65DGTL

ROHM | IGBT - 单路

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

原厂封装：TO-263-3，D2Pak

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ROHM罗姆半导体完整型号: RGT30NS65DGTL

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: IGBT 650V 30A 133W TO-263S

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 45A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，15A

功率 - 最大值: 133W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 32nC

25°C 时 Td（开/关）值: 18ns/64ns

测试条件: 400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 55ns

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型: 表面贴装

供应商器件封装: LPDS（TO-263S）

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