RGT8NS65DGTL_RGT8NS65DGTL供应商_ROHM代理商耐智电子

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ROHM罗姆半导体完整型号: RGT8NS65DGTL

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: IGBT 650V 8A 65W TO-263S

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 8A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 12A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值: 65W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 13.5nC

25°C 时 Td（开/关）值: 17ns/69ns

测试条件: 400V，4A，50欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 40ns

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型: 表面贴装

供应商器件封装: LPDS（TO-263S）

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RGT8NS65DGTL供应商-耐智电子

ROHM

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晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

芯片电阻

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RGT8NS65DGTL是ROHM罗姆公司的一款产品，ROHM代理商耐智电子全程提供RGT8NS65DGTL现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的RGT8NS65DGTL供应商。

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