RP1E050RPTR

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET P-CH 30V 5A MPT6

原厂封装：6-SMD，扁平引线

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ROHM罗姆半导体完整型号: RP1E050RPTR

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET P-CH 30V 5A MPT6

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.2nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 850pF @ 10V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装: MPT6

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