RQ3E150MNTB1

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

原厂封装：8-PowerVDFN

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ROHM罗姆半导体完整型号: RQ3E150MNTB1

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 15A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 6.7 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1100pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）

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RQ3E150MNTB1供应商-耐智电子

ROHM

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晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

芯片电阻

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