RS1E200GNTB

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

原厂封装：8-PowerTDFN

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ROHM罗姆半导体完整型号: RS1E200GNTB

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.6 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 16.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1080pF @ 15V

功率 - 最大值: 3W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

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RS1E200GNTB供应商-耐智电子

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