RV2C002UNT2L

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006

原厂封装：SC-101，SOT-883

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ROHM罗姆半导体完整型号: RV2C002UNT2L

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2 欧姆 @ 150mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 12pF @ 10V

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SC-101，SOT-883

供应商器件封装: VML1006

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RV2C002UNT2L供应商-耐智电子

ROHM

ROHM

晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

芯片电阻

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