US6K1TR

ROHM | FET - 阵列

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

原厂封装：6-SMD，扁平引线

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ROHM罗姆半导体完整型号: US6K1TR

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 240 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 80pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装: TUMT6

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ROHM

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芯片电阻

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