PD20010S-E

ST | RF场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

原厂封装：PowerSO-10RF

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ST意法半导体公司完整型号：PD20010S-E

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：2GHz

增益：11dB

电压 - 测试：13.6V

额定电流：5A

噪声系数：-

电流 - 测试：150mA

功率 - 输出：10W

电压 - 额定：40V

封装/外壳：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）

供应商器件封装：PowerSO-10RF（直引线）

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PD20010S-E供应商-耐智电子

单端场效应管

单路IGBT

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