SCT30N120

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

原厂封装：HiP247

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ST意法半导体公司完整型号：SCT30N120

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

系列：-

FET 类型：SiCFET N 通道，碳化硅

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 20A， 20V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA（标准）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：105nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1700pF @ 400V

功率 - 最大值：270W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：HiP247

耐智电子是国内领先的SCT30N120供应商

SCT30N120供应商-耐智电子

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