STB7ANM60N

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V DPAK

原厂封装：D2PAK

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ST意法半导体公司完整型号：STB7ANM60N

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V DPAK

系列：MDmesh II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：363pF @ 50V

功率 - 最大值：45W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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