STGWA60H65DFB

ST | IGBT - 单路

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

原厂封装：TO-247-3

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ST意法半导体公司完整型号: STGWA60H65DFB

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 240A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，60A

功率 - 最大值: 375W

开关能量: 1.59mJ（开），900μJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 306nC

25°C 时 Td（开/关）值: 66ns/210ns

测试条件: 400V，60A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 60ns

封装/外壳: TO-247-3

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247 长引线

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