STH160N4LF6-2

ST | FET - 单

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

原厂封装：TO-263-3，D2Pak

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ST意法半导体公司完整型号: STH160N4LF6-2

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

系列: DeepGATE，STripFET VI

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 120A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.2 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 181nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 8130pF @ 20V

功率 - 最大值: 150W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型

供应商器件封装: H2Pak-2

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STH160N4LF6-2供应商-耐智电子

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