STH250N55F3-6

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6

原厂封装：H2PAK

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ST意法半导体公司完整型号：STH250N55F3-6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6

系列：STripFET? III

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6800pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）

供应商器件封装：H2PAK

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STH250N55F3-6供应商-耐智电子

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