STH275N8F7-6AG

ST | FET - 单

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

原厂封装：TO-263-7，D2Pak

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ST意法半导体公司完整型号: STH275N8F7-6AG

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

系列: 自动，AEC-Q101，STripFET F7

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.1 毫欧 @ 90A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 193nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 13600pF @ 50V

功率 - 最大值: 315W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）

供应商器件封装: H2PAK-6

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