STL3NM60N

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

原厂封装：PowerFlat

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ST意法半导体公司完整型号：STL3NM60N

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

系列：MDmesh II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：650mA（Ta），2.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 1A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：188pF @ 50V

功率 - 最大值：22W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat（3.3x3.3）

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STL3NM60N供应商-耐智电子

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