STL6N2VH5

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT

原厂封装：PowerFlat

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ST意法半导体公司完整型号：STL6N2VH5

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT

系列：STripFET? V

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 16V

功率 - 最大值：2.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-PowerWDFN

供应商器件封装：PowerFlat （2x2）

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