STS1HNK60

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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ST意法半导体公司完整型号：STS1HNK60

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC

系列：SuperMESH?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：156pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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