STS8DNH3LL

ST | 场效应管阵列

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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ST意法半导体公司完整型号：STS8DNH3LL

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

系列：STripFET? III

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：857pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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STS8DNH3LL供应商-耐智电子

单路晶体管(BJT)

单端场效应管

模拟开关，多路复用器，多路分解器

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