STS9P2UH7

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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ST意法半导体公司完整型号：STS9P2UH7

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

系列：STripFET?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22.5 毫欧 @ 4.5A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2390pF @ 16V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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