STSJ100NHS3LL

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8

原厂封装：8-SOIC-EP

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ST意法半导体公司完整型号：STSJ100NHS3LL

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8

系列：STripFET? III

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4200pF @ 25V

功率 - 最大值：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘

供应商器件封装：8-SOIC-EP

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