STT6N3LLH6

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6

原厂封装：SOT-23-6

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ST意法半导体公司完整型号：STT6N3LLH6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：283pF @ 24V

功率 - 最大值：1.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6

供应商器件封装：SOT-23-6

耐智电子是国内领先的STT6N3LLH6供应商

STT6N3LLH6供应商-耐智电子

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