STU150N3LLH6

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

原厂封装：I-Pak

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ST意法半导体公司完整型号：STU150N3LLH6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4040pF @ 25V

功率 - 最大值：110W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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STU150N3LLH6供应商-耐智电子

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