STV200N55F3

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

原厂封装：10-PowerSO

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ST意法半导体公司完整型号：STV200N55F3

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

系列：STripFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6800pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

供应商器件封装：10-PowerSO

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STV200N55F3供应商-耐智电子

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