CSD25213W10

TI | 单端场效应管

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

原厂封装：4-DSBGA

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TI德州仪器公司完整型号：CSD25213W10

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

系列：NexFET?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：47 毫欧 @ 1A、 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：478pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：4-DSBGA（1x1）

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