CSD75211W1723

TI | 场效应管阵列

制造厂商：TI（德州仪器）

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

原厂封装：12-DSBGA

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TI德州仪器公司完整型号：CSD75211W1723

制造厂家名称：Texas Instruments

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

系列：NexFET?

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：600pF @ 10V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：12-UFBGA，DSBGA

供应商器件封装：12-DSBGA（1.53x1.98）

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