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东芝半导体公司完整型号：HN3C10FUTE85LF制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage描述：TRANSISTOR NPN US6系列：-晶体管类型：2 NPN（双）电压 - 集射极击穿（最大值）：12V频率 - 跃迁：7GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB @ 1GHz增益：11.5dB功率 - 最大值：200mW不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80mA安装类型：表面贴装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：US6耐智电子是国内领先的HN3C10FUTE85LF供应商 
