RN1103MFV,L3F

Toshiba | 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

原厂封装：SOT-723

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东芝半导体公司完整型号: RN1103MFV,L3F

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

系列: -

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 22k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 300mV @ 500μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

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