RN1906FE,LF(CT

Toshiba | 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

原厂封装：SOT-563

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东芝半导体公司完整型号: RN1906FE,LF(CT

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

系列: -

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 47k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 100mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563，SOT-666

供应商器件封装: ES6

耐智电子是国内领先的RN1906FE,LF(CT供应商

RN1906FE,LF(CT供应商-耐智电子

Toshiba

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FET - 阵列

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FET - 单

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