SSM6L09FUTE85LF

Toshiba | 场效应管阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

原厂封装：US6

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东芝半导体公司完整型号：SSM6L09FUTE85LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：400mA，200mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700毫欧 @ 200MA， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：20pF @ 5V

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

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