SSM6L36FE,LM

Toshiba | FET - 阵列

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6

原厂封装：SOT-563

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东芝半导体公司完整型号: SSM6L36FE,LM

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 500mA，330mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 630 毫欧 @ 200mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.23nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 46pF @ 10V

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563，SOT-666

供应商器件封装: ES6（1.6x1.6）

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