TPC6006-H(TE85L,F)

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

原厂封装：VS-6

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东芝半导体公司完整型号：TPC6006-H(TE85L,F)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.9A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 1.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：251pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：VS-6（2.9x2.8）

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