TPN2010FNH,L1Q

Toshiba | 单端场效应管

制造厂商：Toshiba（东芝半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

原厂封装：8-TSON高级

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东芝半导体公司完整型号：TPN2010FNH,L1Q

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：250V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：198 毫欧 @ 2.8A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：600pF @ 100V

功率 - 最大值：39W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-TSON高级

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TPN2010FNH,L1Q供应商-耐智电子

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