IRLD110

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

原厂封装：4-DIP

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Vishay威世半导体原厂型号：IRLD110

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 600mA，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：通孔

封装/外壳：4-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP

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