SI5933CDC-T1-GE3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

原厂封装：1206-8

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Vishay威世半导体原厂型号：SI5933CDC-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

系列：TrenchFET

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：144 毫欧 @ 2.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：276pF @ 10V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：1206-8 ChipFET

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