SI8902EDB-T2-E1

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

原厂封装：6-Micro

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Vishay威世半导体原厂型号：SI8902EDB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

系列：TrenchFET

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 980μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-MICRO FOOTCSP

供应商器件封装：6-Micro Foot

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SI8902EDB-T2-E1供应商-耐智电子

Vishay

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二极管TVS

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晶体管，光电输出光隔离器

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