SIA950DJ-T1-GE3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 190V 950MA SC-70-6

原厂封装：PowerPAK

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Vishay威世半导体原厂型号：SIA950DJ-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 190V 950MA SC-70-6

系列：LITTLE FOOT

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：190V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：950mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 欧姆 @ 360mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：90pF @ 100V

功率 - 最大值：7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK SC-70-6 双

供应商器件封装：PowerPAK SC-70-6 双

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SIA950DJ-T1-GE3供应商-耐智电子

Vishay

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二极管TVS

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晶体管，光电输出光隔离器

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