SIF912EDZ-T1-E3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK

原厂封装：PowerPAK

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Vishay威世半导体原厂型号：SIF912EDZ-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK

系列：TrenchFET

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 7.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK 2x5

供应商器件封装：PowerPAK（2x5）

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SIF912EDZ-T1-E3供应商-耐智电子

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