SIHD6N65E-GE3

Vishay | 单端场效应管

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET N-CH 650V 7A TO252

原厂封装：D-PAK

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Vishay威世半导体原厂型号：SIHD6N65E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 650V 7A TO252

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：820pF @ 100V

功率 - 最大值：78W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-PAK （TO-252AA）

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