VQ1001P-E3

Vishay | 场效应管阵列

制造厂商：Vishay（威世）

功能简述：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

原厂封装：原厂封装

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Vishay威世半导体原厂型号：VQ1001P-E3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

系列：-

FET 类型：4 个 N 通道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：830mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.75 欧姆 @ 200mA， 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：110pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

安装类型：*

封装/外壳：-

供应商器件封装：*

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VQ1001P-E3供应商-耐智电子

Vishay

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