IR宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传统内燃机 (ICE) 平台以及微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。
经过优化的新型车用 MOSFET 系列在 55V 电压下可提供低至8 mΩ 的导通电阻（RDS(on)）。此外，逻辑电平 MOSFET 器件简化了栅极驱动需求，同时减少了电路板占用空间和元件数量。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“怎么找到IR代理商我们扩充后的包括逻辑电平器件在内的车用MOSFET 系列，为客户在选择符合其设计要求的电压、封装和功能方面提供了更好的选择，而 IR 经过验证的硅技术更为客户提供了保证。”
新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。
新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。